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Web of Science ResearcherID: V-2243-2019
Scopus Author ID: 55649716300
ResearchGate
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J-GLOBAL ID: 202001016980991512
2025
International Conferences
1. R. Hayashi, M. Ogawa, S. Oshio, K. Adachi, T. Tanaka, and M. Tada, “Low resistive Ru thin film on dielectrics without adhesive liner for sub-2nm interconnects,” IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC) 2025, P31.
2. G. Thareja, A. Mema, G. Qu, N. Giulani, D. Cornigli, T. Takahisa, E. Piccinini, X. Wang, A. Palmieri, S. Barkam, M. Jamieson, B. Xie, S. You, S. Sharma, Y. Wu, M. Gage, Z. Wu, R. Shaviv, F. Nardi, M. Haverty, M. Spuller, B. Ng, N. Tam, A. Jansen, A. Lo, Z. Chen, F. K. Mungai, S. Deshpande, H. Ren, J. Tang, M. Naik, S. Kesapragada, C.-I. Lang, S. Muthukrishnan, B. Brown, M. Tada, J. J. Lee, Q. L. Xia, M. Berkens, L. Larcher, K. Kashefizadeh, H. Amrouch and X. Tang, “BEOL Interconnects for 2nm Technology Node and Beyond,” IEEE/JSAP 2025 Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI) , T18-2.
3. M. Tada, “Fine-Pitched Superconducting Interconnects for Cryo-CMOS and Superconducting Digital Logic
Applications”, 2025 Asia-Pacific Workshop on Advanced Semiconductor Devices (AWAD) (Invited).
Domestic Conferences
1. 安達 和喜, 押尾 世文, 小川 瑞月, 林凌佑, 多田 宗弘, 「NanoBridge をシナプス回路に用いたAI処理向けCIMシミュレーション評価」, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 千葉, フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」, 14p-P06-3, 2025年3月14日.
2. 押尾 世文, 小川 瑞月, 安達 和喜, 林凌佑, 吉永 啓人, 内田 建, 多田 宗弘, 「超伝導量子ビット制御用クライオCMOSにおける高電圧nMOSFETの低温特性」, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 千葉, 13.5 デバイス／配線／集積化技術, 14a-K101-5, 2025年3月14日.
3. 多田 宗弘, 「原子スイッチ混載集積化により、耐放射線性を高めた宇宙用FPGA」, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 千葉, T25 極限環境デバイス, 15p-Y1311-2, 2025年3月15日（招待講演）.
4. 林 凌佑, 小川 瑞月, 押尾 世文, 安達和喜, 田中 貴久, 多田 宗弘, 「次世代配線材料としてのRu薄膜の特性評価と密着性改善」, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 千葉, 13.5 デバイス／配線／集積化技術, 15p-P10-2, 2025年3月15日.
5.小川 瑞月, 林 凌佑, 押尾 世文, 安達 和喜, 田中 貴久, 多田 宗弘, 「Cryo-CMOS向け超伝導Nb膜の酸化機構の解析」, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 千葉, 13.5 デバイス／配線／集積化技術, 15p-P10-1, 2025年3月15日.
2024
Journals
1. C. -W. Pai, K. Uchida, M. Tada, and H. Ishikuro, “A Cryo-CMOS 10-bit 60-MS/s SAR ADC with Common-Mode Variation Suppression Switching Scheme and Gain Boosting Dynamic Comparator,” Microelectronics Journal, 106435, 2024. doi: 10.1016/j.mejo.2024.106435
2. T. Miyao, K. Yoshinaga, T. Tanaka, H. Ishikuro, M. Tada, and K. Uchida, “Imaginary impedance due to hopping phenomena and evaluation of dopant ionization time in cryogenic metal-oxide-semiconductor devices on highly doped substrate,” Appl. Phys. Express, 17, 051001, 2024. doi: 10.35848/1882-0786/ad3d2a
3. H. Numata, N. Iguchi, M. Tanaka, K. Okamoto, S. Miura, K. Uchida, H. Ishikuro, T. Sakamoto, and M. Tada, “Superconducting Nb interconnects for Cryo-CMOS and superconducting digital logic applications,” Jpn. J. Appl. Phys., 63, 04SP73, 2024. doi: 10.35848/1347-4065/ad37c1
4. C.-W. Pai, K. Uchida, M. Tada, and H. Ishikuro, “Design and analysis of a high-speed low-power comparator with regeneration enhancement and through current suppression techniques from 4 K to 300 K in 65-nm Cryo-CMOS,” Microelectronics Journal, 144, 106066, 2024. doi: 10.1016/j.mejo.2023.106066
International Conferences
1. N. Iguchi, H. Numata, M. Tanaka, K. Okamoto, T. Tanaka, K. Uchida, H. Ishikuro, T. Sakamoto, and M. Tada, “200nm-pitched, Superconducting Nb Interconnects for Cryo-CMOS Applications,” International Interconnect Technology Conference (IITC) 2024, San Jose, United States, June 3-6, 2024.